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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 -87% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
31
读取速度,GB/s
4,025.3
15.5
写入速度,GB/s
2,107.0
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2819
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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