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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
58
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
34
读取速度,GB/s
4,025.3
16.2
写入速度,GB/s
2,107.0
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3135
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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