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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
58
左右 -81% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
32
读取速度,GB/s
4,025.3
16.6
写入速度,GB/s
2,107.0
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3357
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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