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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,025.3
14.3
写入速度,GB/s
2,107.0
11.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2313
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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