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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
58
左右 -7% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
54
读取速度,GB/s
4,025.3
15.7
写入速度,GB/s
2,107.0
12.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2583
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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