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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
67
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,107.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
67
读取速度,GB/s
4,025.3
16.5
写入速度,GB/s
2,107.0
8.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
1876
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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