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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
58
左右 -152% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
23
读取速度,GB/s
4,025.3
17.2
写入速度,GB/s
2,107.0
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3116
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
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