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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

总分
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

总分
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    41 left arrow 58
    左右 -41% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 2,107.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 41
  • 读取速度，GB/s
    4,025.3 left arrow 12.7
  • 写入速度，GB/s
    2,107.0 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    670 left arrow 2501

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较

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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
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内存RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Kingston 9905678-006.A00G 4GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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