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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 -132% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
25
读取速度,GB/s
4,025.3
15.8
写入速度,GB/s
2,107.0
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3081
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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