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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Kingston KTP9W1-MID 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Kingston KTP9W1-MID 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KTP9W1-MID 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
58
左右 -81% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
32
读取速度,GB/s
4,025.3
16.5
写入速度,GB/s
2,107.0
14.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3424
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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