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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,025.3
16.9
写入速度,GB/s
2,107.0
14.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3316
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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