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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
58
左右 -66% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
35
读取速度,GB/s
4,025.3
15.0
写入速度,GB/s
2,107.0
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2672
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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