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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

总分
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

总分
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 58
    左右 -53% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    8.7 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.0 left arrow 2,107.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    4,025.3 left arrow 8.7
  • 写入速度，GB/s
    2,107.0 left arrow 7.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    670 left arrow 1999

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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston 9905700-011.A00G 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
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