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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,025.3
16.5
写入速度,GB/s
2,107.0
16.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3634
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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