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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
4,025.3
15.9
写入速度,GB/s
2,107.0
11.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3014
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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