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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
58
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
24
读取速度,GB/s
4,025.3
14.1
写入速度,GB/s
2,107.0
11.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2879
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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