RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
比较
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
总分
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
总分
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
62
101
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
101
读取速度,GB/s
9.5
14.2
写入速度,GB/s
7.8
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2020
1313
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB RAM的比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
‹
›
报告一个错误
×
Bug description
Source link