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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
比较
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
14.2
15.2
写入速度,GB/s
10.3
11.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
2774
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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