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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 11.3
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 36
    左右 -3% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 15
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    15.0 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    11.5 left arrow 11.3
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2664 left arrow 2631

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
内存RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
内存RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
内存RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
内存RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
内存RAM