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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB vs A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR5
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
16.9
15.3
写入速度,GB/s
10.4
13.4
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3035
3501
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM的比较
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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