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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
27
读取速度,GB/s
15.6
18.8
写入速度,GB/s
11.8
14.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3492
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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