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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
15.6
17.3
写入速度,GB/s
11.8
15.4
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3628
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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