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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
51
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
22
读取速度,GB/s
15.6
18.5
写入速度,GB/s
11.8
13.7
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3283
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
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Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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