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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
15.6
11.6
写入速度,GB/s
11.8
10.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2332
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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