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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
51
左右 -31% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
39
读取速度,GB/s
15.6
14.1
写入速度,GB/s
11.8
11.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2940
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
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