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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
15.6
19.0
写入速度,GB/s
11.8
15.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3600
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
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