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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
27
读取速度,GB/s
15.6
17.7
写入速度,GB/s
11.8
15.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3491
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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