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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
51
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
15.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
36
读取速度,GB/s
15.6
19.2
写入速度,GB/s
11.8
11.8
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3256
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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