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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
51
左右 -46% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
35
读取速度,GB/s
15.6
15.1
写入速度,GB/s
11.8
11.3
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2631
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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