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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
比较
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
差异
规格
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差异
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
15.8
18.1
写入速度,GB/s
11.8
14.8
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2711
3779
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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