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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
比较
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Kingston KMKYF9-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-MID 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
35
读取速度,GB/s
15.8
15.0
写入速度,GB/s
11.8
11.2
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2711
2627
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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