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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
比较
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
总分
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
总分
AMD R334G1339U2S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.7
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
4.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R334G1339U2S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
10.7
9.0
写入速度,GB/s
7.5
4.8
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1335
1726
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
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AMD R5S34G1601U1S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
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