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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
比较
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
总分
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
10.7
16.4
写入速度,GB/s
7.5
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1335
3278
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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