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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
比较
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
总分
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
10.7
13.2
写入速度,GB/s
7.5
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1335
2595
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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