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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
比较
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
总分
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
总分
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
65
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
65
读取速度,GB/s
10.7
17.0
写入速度,GB/s
7.5
9.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1335
2058
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
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