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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
58
左右 62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
58
读取速度,GB/s
15.0
9.7
写入速度,GB/s
6.8
7.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2172
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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