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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
比较
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB vs Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
总分
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR5
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
11.4
13.4
写入速度,GB/s
9.5
12.4
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2532
3436
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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