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Mushkin 991586 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
比较
Mushkin 991586 2GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
总分
Mushkin 991586 2GB
总分
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991586 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991586 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.8
13.7
写入速度,GB/s
7.9
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2156
2128
Mushkin 991586 2GB RAM的比较
Mushkin 999015 4GB
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Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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