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Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
比较
Mushkin 991586 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
总分
Mushkin 991586 2GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991586 2GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
13.8
18.6
写入速度,GB/s
7.9
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2156
3413
Mushkin 991586 2GB RAM的比较
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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