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Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
比较
Mushkin 991586 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
总分
Mushkin 991586 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991586 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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更快的读取速度,GB/s
19.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
26
读取速度,GB/s
13.8
19.2
写入速度,GB/s
7.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2156
3180
Mushkin 991586 2GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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