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Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
比较
Mushkin 991586 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
总分
Mushkin 991586 2GB
总分
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991586 2GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
13.8
16.6
写入速度,GB/s
7.9
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2156
2548
Mushkin 991586 2GB RAM的比较
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
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