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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
63
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
29
读取速度,GB/s
7.7
17.8
写入速度,GB/s
5.0
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3597
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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