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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
7.7
16.9
写入速度,GB/s
5.0
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3050
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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