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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
7.7
17.7
写入速度,GB/s
5.0
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3692
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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