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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
63
左右 -174% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
23
读取速度,GB/s
7.7
16.9
写入速度,GB/s
5.0
13.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3081
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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