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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
63
左右 -66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
38
读取速度,GB/s
7.7
14.8
写入速度,GB/s
5.0
10.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
2536
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KH2400C15D4/8 8GB
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Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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