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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

总分
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

总分
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

差异 规格 评论

差异

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB 需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB 需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 63
    左右 -174% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.4 left arrow 5.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    63 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    7.7 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    5.0 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1130 left arrow 3169

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较

Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB RAM的比较

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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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