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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
63
左右 -186% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
22
读取速度,GB/s
7.7
18.4
写入速度,GB/s
5.0
15.8
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3512
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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