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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
差异
规格
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差异
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
25
读取速度,GB/s
7.7
15.0
写入速度,GB/s
5.0
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
2892
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
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Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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