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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
63
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.3
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.0
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
35
读取速度,GB/s
7.7
10.3
写入速度,GB/s
5.0
6.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
1851
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
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